供應信息
壓敏電阻采購，就選源林電子，品類豐富
ZnO是六方晶系纖鋅礦結構，其化學鍵處于離子鍵與共價鍵的中間鍵型狀態，氧離子以六方密堆，鋅離子占據一半的四面體空隙，鋅和氧都是四面體配位。ZnO是相對開放的晶體結構，開放的結構對缺陷的性質及擴散機制有影響，所有的八面體間隙和一半的四面體間隙是空的，正負離子的配位數均為4，所以容易引入外部雜質，ZnO熔點為2248，密度為5.6g/cm3，純凈的ZnO晶體，其能帶由02-的滿的2p電子能級和Zn2+的空的4s能級組成，禁帶寬度為3.2～3.4eV，因此，室溫下，滿足化學計量比的純凈ZnO應是絕緣體，而ZnO中常見的缺陷是金屬填隙原子，所以它是金屬過剩(Zn1+xO)非化學計量比n型半導體。
Eda等認為，在本征缺陷中，填隙鋅原子擴散快，對壓敏電阻穩定性有很大影響。
由于壓敏電阻型號太多，每個客戶的個性化需求不一。想了解更多壓敏電阻的信息，請撥打圖片中的咨詢電話與我們源林電子聯系，謝謝！
壓敏電阻采購，就選源林電子，自有技術團隊
氧化鋅壓敏電阻器已經越來越多地走進了人們的視線，在通訊供電以及智能產品上都能夠看見到他的身影。那么這種壓敏電阻器在應用過程中的優點有哪一些呢，讓我們來看看吧
(1) 通流容量大
(2) 限制電壓低
(3) 響應速度快
(4) 無續流
(5) 對稱的伏安特性(即產品無極性)
(6) 電壓溫度系數低
源林電子是一家專業研發、生產壓敏電阻的高科技電子元器件企業。主營壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器，自有研發團隊，廠家直銷！
壓敏電阻采購，就選源林電子，廠貨直供
殘壓比KR
通過壓敏電阻器的電流為某一值時，在它兩端所產生的電壓稱為這一電流值的殘壓。殘壓比則是殘壓與標稱電壓之比。
殘壓比KR的定義公式為：
KR =UR/UN
殘壓比可以比較直觀地反應出壓敏電阻限制過電壓的能力，在壓敏材料的研究工作中已得到廣泛的應用，在防雷壓敏電阻、避雷器閥片和高能型壓敏電阻閥片中以成為標準電性能參數。
源林電子壓敏電阻選型電話就在圖片中，歡迎來電！
您好，歡迎蒞臨源林電子，歡迎咨詢...
 觸屏版二維碼 |
